مبدأ عمل مقحل من نوع موصفات Mosfet
إشكالية
نلاحظ انه كلما ازدادت استطاعة المرحل احتجنا إلى β
اكبر :
التحكم بالتيار خاصة في حالة دارة منطقية غير ممكن فما الحل ؟
التحكم بالتوتر الذي يستوجب مقاومة دخول
كبيرة جدا و هذا
ما لا توفره المقاحل الثنائية الأقطاب .
نلجأ في هذه الحالة إلى استعمال نوع أخر من المقاحل لها
مقاومة دخول كبيرة قد تصل إلى 1012 Ωو يستهلك استطاعة اقل بالنسبة
للمقحل ثنائي القطب يسمى
مقحل MOSFET : مقحل بمفعول المجال شبه ناقل ذو طبقة أكسيد
معدن
IG=0
: بوابة معزولة و بالتالي
تكون مقاومة الدخول كبيرة جدا .
VDS:التوتر بين المصرف و المنبع
VGS:التوتر بين البوابة و المنبع
ID: شدة التيار في المصرف
- مقحل بقناة P : نتحكم فيه بتوتر سالب
- مقحل بقناة N : نتحكم فيه بتوتر موجب (الأكثر استعمالا كون المنطق الموجب هو
الأكثر شيوعا).
· مقحل mosfet نوع N كقاطعة الكترونية
VDS=VDD
و ID =0 و VGS<VT ≈0V إذا كان مقحل مانع
VDS=0V و ID =IDsat
و VGS>VT ≈VDD
إذا كان مقحل ممرر
- شبكة المميزات لمقحل MOS استطاعي نوع N
ماذا تلاحظ ؟
بالنسبة لمميزة التحويل( التحكم )عند تطبيق توتر
تحكم VGS يبدأ المقحل
في التمرير ابتداء من توتر نسميه VT توتر عتبة ويكون المقحل مانعا في حالة VGS<
VT.
معادلة مميزة التحويل : ID = K ( VGS –
VT )2 حيث K : معامل
الكسب (mA / V2 )
بالنسبة لمميزة الخروج فهي تماثل مميزة الخروج لمقحل ثنائي القطب و الفرق يكمن في أن:
- التحكم في
تيار الخروج IC
يكون بالتيار IB
بالنسبة للمقحل ثنائي القطب ( التحكم بالتيار)
- التحكم في
تيار الخروج ID
يكون بتوتر الدخول VGS بالنسبة
للمقحل MOS ( التحكم بالتوتر)
مثال
حسب الخصائص و القيم المحسوبة :
خصائص
المقحل: MOS IRF 640
ID(ON)
= 18A , VT= 2…4V
RDS(ON)= 0.18Ω , VDSmax = 200 V
خصائص الإشارة
المنطقية :
الحالة
المنطقية 1 VS = 5V
الحالة
المنطقية 0 VS = 0 V
1- ما هي الحالة المنطقية لتشغيل المحرك ؟
الحالة المنطقية 1 (VS=5V)
2- اوجد تيار المحرك الممتص في التشغيل العادي ؟
I
= Pan / Un = 100 / 24 I = 4.17A
3- من أجل الحالة المنطقية 0 ما هي قيمة كل من ID وVDS ؟
المقحل محصور و منه ID =0 و= VDD = 24V VDS
4- هل المقحل المستعمل يوافق شروط استعمال هذا المحرك ؟
الشدة القصوى التي
يتحملها المقحل عندما يكون ناقل ID(on) = 18A >ID
= 4.7A
التوتر الأقصى الذي يتحمله المقحل عندما
يكون مانع VDSmax = 200V >VDS =
24V
المقحل المستعمل يوافق شروط استعمال هذا المحرك .
نشاط
الشكل المقابل يمثل تركيب مبدئي للمركزية الغمازة ( مولد نبضات )
- قلد التركيب باستعمال Multisim
-
استبدل المقحل MOS بمقحل دارلينطون
ثم قلد التركيب، ماذا تلاحظ؟
ملاحظات:
·
معظم الدارات
الرقمية الحديثة مثل CMOS مصنوعة من مقاحل MOSFET
لما تتميز به منّ:
- مقاومة دخول جد كبيرة و استهلاك ضعيف للتيار
مقارنة بالدارات نوع TTL
- سهولة التصنيع و التكلفة المنخفضة .
- كثافة الدمج معتبرة تصل حتى دمج 107
مقحل في الرقاقة الواحدة .
· كما انه لا يخلو من بعض المساوئ أهمها :
- سرعة التبديل ضعيفة مقارنة بالعائلة TTL
**** مدونة
الأستاذ حمدي شريف محمد ****
روابط تحميل
الدرس
وثيقة التلميذ
تحميل على شكل word من
هنا
تحميل على شكل pdf من
هنا
وثيقة الأستاذ
تحميل على شكل word من هنا
تحميل على شكل pdf من
هنا
إذا أعجبك الدرس و كنت تريد شكري شارك الدرس مع أصدقائك في مختلف مواقع
التواصل الاجتماعي
*************** مدونة
الأستاذ حمدي شريف محمد
****************
طريقة التحميل من الموقع
تعليقات
إرسال تعليق